QPD1016
Qorvo
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 23.9 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 145 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V to 1.5 V
- Id - непрерывный ток утечки 70 A
- Выходная мощность 680 W
- Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 714 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI780-2
- Упаковка -