QPD1000
Qorvo
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 19 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 28 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 100 V
- Id - непрерывный ток утечки 817 mA
- Выходная мощность 24 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 28.8 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок QFN-8
- Упаковка Tray