A2T21S161W12SR3
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 1.5 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 65 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 19.1 dB
- Выходная мощность 38 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780S-2
- Упаковка Reel