RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 1 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 10.8 dB
- Выходная мощность 1.2 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PW-Mini-3
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel