BF1105R,215 - NXP Semiconductors
Поставка электронных компонентов
BF1105R,215
NXP Semiconductors
Технические характеристики
  • Полярность транзистора Dual N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 30 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 7 V, 7 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление -
  • Выходная мощность -
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-143R-4
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel