MRF085HR5
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 210 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 133 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 25.6 dB
- Выходная мощность 85 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-650H-4
- Упаковка Cut Tape, Reel