A2T21H360-23NR6
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Полярность транзистора Dual N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 2.4 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 5 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 16.8 dB
- Выходная мощность 63 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок OM-1230-4
- Упаковка Reel