HMC659LC5TR
Analog Devices / Hittite
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок QFN-EP-32
- Тип Power Amplifier
- Технология GaAs
- Рабочая частота DC to 15 GHz
- P1dB - точка сжатия 26.5 dBm
- Усиление 19 dB
- Рабочее напряжение питания 8 V
- NF - коэффициент шумов 3 dB
- Тестовая частота -
- OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 35 dBm
- Рабочий ток источника питания 300 mA
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Квалификация -
- Серия HMC659G
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel