T1G4012036-FS - Qorvo
Поставка электронных компонентов
T1G4012036-FS
Qorvo
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 18.4 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 36 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки 12 A
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор - 2.9 V
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности 117 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок -
  • Упаковка Tray