A2G26H281-04SR3
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора -
- Технология GaN
- Усиление 14.2 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 8 V, 0 V
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность 50 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780S-4
- Упаковка Reel