QPD1025L
Qorvo
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 22.9 dB
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 28 A
- Выходная мощность 1.5 kW
- Максимальное напряжение сток-затвор 225 V
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 758 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-1230-4
- Упаковка Tray