MRFG35003N6AT1
NXP / Freescale
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора pHEMT
- Технология GaAs
- Усиление 10 dB
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 5 V
- Id - непрерывный ток утечки 2.9 A
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PLD-1.5
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel