A3G26H501W17SR3
NXP Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Тип транзистора -
- Технология GaN
- Усиление 13.7 dB
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 42 mA
- Выходная мощность 56 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 225 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-780S-4S2S
- Упаковка Reel