VEMT2000X01
Vishay Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок -
- Вид монтажа -
- Пиковая длина волны 860 nm
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 20 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
- Темновой ток 100 nA
- Время нарастания -
- Время спада -
- Pd - рассеивание мощности 100 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Серия VEMT