Биполярные транзисторы - BJT [168]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Полярность транзистора
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение коллектор-база (VCBO)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальный постоянный ток коллектора
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
DSS5240Y-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
DSS5320T-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
DSS5540X-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
DSS60600MZ4-13 Diodes Incorporated Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
DSS8110Y-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS NPN
DSS9110Y-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSIS PNP
DST3904DJ-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT 40V Dual NPN TRAN Ic 200mA 60V VCBO
DST3906DJ-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
DST3946DPJ-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
DST847BDJ-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS NPN
DST847BPDP6-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS COMP
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS PNP
DT955-7 Diodes Incorporated Биполярные транзисторы - BJT BJT Sgl Transistor
DVR5V0W-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT Complex Array
DXT13003DG-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV
DXT13003DK-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V
DXT13003EK-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
DXT2010P5-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A
DXT2011P5-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A
DXT2012P5-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A
DXT2013P5-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
DXT2014P5-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
DXT2222A-13 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 40Vceo
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться