| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
HN1A01FE-GR,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
HN1A01FE-Y,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT ES6 PLN | ||
|
HN1A01FU-GR,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | ||
|
HN1A01FU-Y,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | ||
|
HN1B01F-GR(TE85L,F | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | ||
)
|
HN1B01F-Y(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | ||
|
HN1B01FDW1T1G | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual Complementary | ||
|
HN1B01FU-GR,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | ||
|
HN1B04FE-GR,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | ||
|
HN1B04FE-Y,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | ||
|
HN1B04FU-GR,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | ||
|
HN1B04FU-Y,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V | ||
|
HN1C01FE-GR,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Small Signal Amp | ||
|
HN1C01FU-GR,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | ||
|
HN1C01FU-Y,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package | ||
|
HN1C01FYTE85LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A | ||
)
|
HN1C03F-B(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 | ||
|
HN1C03FU-A(TE85L,F | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz | ||
|
HN1C03FU-B(TE85L,F | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 | ||
|
HN1C03FU-B,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package | ||
|
HN2A01FU-GR(TE85LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq -50V PNP PNP -0.15A | ||
|
HN2A01FU-Y(TE85L,F | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A | ||
|
HN2C01FEYTE85LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A | ||
)
|
HN2C01FU-GR(T5L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 50V, 0.15A US6 |
