Биполярные транзисторы - BJT [47]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Полярность транзистора
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение коллектор-база (VCBO)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальный постоянный ток коллектора
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
2PD601BRL,215 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50 V 200 mA
2PD601BSL,215 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50 V 200 mA
2PD602AQL,215 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA NPN
2PD602AQL,235 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin
2PD602ARL,215 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN
2PD602ARL,235 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin
2PD602ASL,215 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN
2PD602ASL,235 Nexperia
Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin
2SA1036KT146Q ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы - BJT PNP 32V 0.5A
2SA1036KT146R ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы - BJT PNP 32V 0.5A
2SA1037AKT146Q ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 0.15A
2SA1037AKT146R ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 0.15A
2SA1037AKT146S ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 0.15A
2SA1162-GR,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
2SA1162-O,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
2SA1162-Y(TLSPF,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT SM SIG POWER TRANS
2SA1162-Y,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
2SA1163-BL(TE85L,F Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO
2SA1163-BL,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
2SA1163-GR,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
2SA1163-GRTE85LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT VCEO -120V Audio IC -100mA IB 10dB
2SA1182-GR,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor, VCEO=-30V, IC=-0.5A, hFE=200 to 400 in SOT-346 (S-Mini) package
2SA1182-Y,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
2SA1201-Y-TP Micro Commercial Components (MCC)
Биполярные транзисторы - BJT 3W,120V,ZENER,SMB Package
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться