| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
RN2110MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
|
RN2111,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN2111MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10Kohms | ||
|
RN2111MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
|
RN2112,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN2112MFV(TL3,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 22kohm -100mA -50V | ||
)
|
RN2112MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22Kohms | ||
)
|
RN2113MFV(TL3,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V | ||
)
|
RN2114(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SSM (HF) TRANSISTOR Pd 100mW F 1MHz | ||
)
|
RN2114MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms | ||
|
RN2114MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
|
RN2115,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
RN2115MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
|
RN2116,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN2116MFV(TL3,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V | ||
)
|
RN2116MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms | ||
)
|
RN2117MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms | ||
|
RN2117MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
)
|
RN2118MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms | ||
)
|
RN2119MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor | ||
|
RN2130MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
)
|
RN2131MFV(TL3,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 100kohm -100mA -50V | ||
)
|
RN2131MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx0ohms | ||
)
|
RN2132MFV(TL3,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 200kohm -100mA -50V |
