| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
)
|
RN2708JE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | ||
)
|
RN2709JE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | ||
)
|
RN2710JE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | ||
)
|
RN2711(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO | ||
)
|
RN2711JE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | ||
)
|
RN2712JE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | ||
)
|
RN2713JE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | ||
)
|
RN2901FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz | ||
|
RN2902,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
RN2902FE,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
RN2903,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN2903FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz | ||
|
RN2904FE,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
RN2905,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN2905FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A | ||
|
RN2906,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN | ||
|
RN2906,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
RN2907FE,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN2908FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz | ||
)
|
RN2909FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz | ||
|
RN2910FE,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
RN2911,LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN | ||
)
|
RN2911FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz | ||
)
|
RN2961(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz |
