Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [19]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
DF1400R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A
DF150R12RT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A
DF160R12W2H3F_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF200R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
DF200R12PT4_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
DF200R12W1H3_B27 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF300R07PE4_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V
DF300R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL
DF400R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
DF600R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600A
DF600R12IP4DV Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF650R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 650A
DF75R12W1H4F_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
DF80R12W2H3F_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF900R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 900A
DF900R12IP4DV Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DZ3600S17K3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 3.6KA
DZ800S17K3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 800A
F12-25R12KT4G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A
F3L100R07W2E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 100A
F3L100R12W2H3_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFET