| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
| 05407900 | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 05410100 | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 05410200 | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 2LS20017E42W34854 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 2LS20017E42W36702 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 2LS20017E42W40403 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 2PS06017E32G28213 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1x 325A AC at 690V AC Forced Air | |||
| 2PS12017E34W32132NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | |||
| 2PS12017E44G35911 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 2PS13512E43W35222NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | |||
| 2PS13512E43W39689 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 2PS18012E44G38553NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | |||
| 4PS03012S43G30699 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6MS10017E41W36460 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6MS16017P43W40382 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6MS16017P43W40383 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6MS20017E43W37032 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6MS20017E43W38170 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6MS24017E33W32859NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | |||
| 6MS24017E33W32860NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | |||
| 6MS30017E43W34404NOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM | |||
| 6MS30017E43W38169 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6PS03012E33G34160 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |||
| 6PS04512E43G37986 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
