Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [4]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APT100GT120JU3 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0007
APT100GT60JR Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227
APT100GT60JRDQ4 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227
APT150GN120J Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227
APT150GN120JDQ4 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227
APT150GN60B2G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT150GN60J Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227
APT150GN60JDQ4 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227
APT150GN60LDQ4G Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 100A,TO-264, RoHS
APT150GT120JR Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227
APT200GN60J Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227
APT200GN60JDQ4 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227
APT200GT60JR Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227
APT30GP60JDQ1 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 30A, SOT-227
APT35GT120JU2 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0036
APT35GT120JU3 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0037
APT40GL120JU2 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HOLD CC0102
APT40GL120JU3 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0039
APT40GP90JDQ2 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227
APT46GA90JD40 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227
APT50GF120B2RG Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT50GF120JRDQ3 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227
APT50GF120LRG Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264, RoHS
APT50GLQ65JU2 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0108