Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [42]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FZ400R65KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 6500V
FZ500R65KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500V
FZ600R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A SINGLE
FZ600R12KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A
FZ600R12KP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A
FZ600R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 700A
FZ600R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.07KA
FZ600R17KE3_S4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V
FZ600R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V
FZ600R65KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 6500V
FZ750R65KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 6500V 750A
FZ800R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A
FZ800R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A SINGLE
FZ800R45KL3_B5 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FZ900R12KE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 900A
FZ900R12KP4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPak
HYBRIDKIT1TOBO1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES
IFCM20U65GDXKMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES
IFCM30T65GDXKMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES
IFCM30U65GDXKMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES
IFF450B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description: