Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [11]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FGB7N60UNDF ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7A NPT IGBT
FGBS3040E1-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SMART IGBT
FGD1240G2 ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT
FGD2736G3-F085 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
FGD3040G2-F085 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
FGD3040G2-F085C ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252
FGD3040G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 300MJ, 400V, N-
FGD3050G2 ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 500V 27A 1.3V 300mJ
FGD3050G2V ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 500V 27A 1.3V 300mJ
FGD3245G2-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2-450V Ignition IGBT
FGD3245G2-F085C ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252
FGD3245G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT N-Channel Ignition 1.3V 320mJ
FGD3325G2-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
FGD3325G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N
FGD3440G2-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT
FGD3440G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 400V 25A 1.30V 335mJ
FGD3N60LSDTM ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT HID Application
FGD3N60UNDF ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
FGD5T120SH ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
FGH12040WD-F155 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FS2 Trench IGBT
FGH15T120SMD-F155 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
FGH20N60SFDTU ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop
FGH20N60SFDTU-F085 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 20A 600V FS IGBT
FGH20N60UFDTU ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться