| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
IGW30N65L5XKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V IGBT Trenchstop 5 | ||
|
IGW40N120H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW40N60H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W | ||
|
IGW40N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandin | ||
|
IGW40N65F5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
|
IGW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW40N65H5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
|
IGW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW40T120 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A | ||
|
IGW50N60H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W | ||
|
IGW50N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | ||
|
IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | ||
|
IGW50N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandin | ||
|
IGW50N65F5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
|
IGW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW50N65H5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | ||
|
IGW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | ||
|
IGW60N60H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop | ||
|
IGW60T120 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A | ||
|
IGW60T120FKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A |
