Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [34]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IRGP4650D-EPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
IRGP4650DPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
IRGP4660D-EPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
IRGP4660DPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT 60A 330W 140nC
IRGP50B60PD1PBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHz
IRGP50B60PDPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHz
IRGPS46160DPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST
IRGPS60B120KDP Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz
IRGR2B60KDTRRPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low VCEon Trench IGBT
IRGR3B60KD2TRP Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES
IRGR3B60KD2TRRP Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES
IRGS30B60KTRRP Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30AD2PAK
IRGS4B60KD1TRRP Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
IRGS6B60KDPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
IRGS6B60KDTRLP Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A
IRGS6B60KDTRRP Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
IRGS6B60KTRLPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7AD2PAK
ISL9V3040D3ST-F085C ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
ISL9V3040D3STV ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, NCH 17A 1.58v 300mJ
ISL9V3040S3ST-F085C ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK1 IGN-IGBT
ISL9V5045S3ST-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
ITF38IF1200HJ IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX4
ITF40IF1200KB IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ITF40IF1200KB
ITF48IF1200HR IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться