Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [39]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IXGA12N120A3-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA12N120A3 TRL
IXGA12N60CD1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 600V 2.7 Rds
IXGA15N100C IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1000V 3.5 Rds
IXGA15N120B IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds
IXGA20N100 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1000V 3 Rds
IXGA20N120 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V 2.5 Rds
IXGA20N120A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
IXGA20N120A3-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA20N120A3 TRL
IXGA20N120B IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V 2.5 Rds
IXGA20N120B3-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA20N120B3 TRL
IXGA28N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
IXGA30N120B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBT
IXGA30N120B3-TRL IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA30N120B3 TRL
IXGA30N60C3C1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
IXGA30N60C3D4 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A
IXGA36N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
IXGA48N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V
IXGA48N60A3-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA48N60A3 TRL
IXGA48N60B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V
IXGA48N60B3-TRL IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA48N60B3 TRL
IXGA48N60C3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V
IXGA48N60C3-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA48N60C3 TRL
IXGA4N100 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 8 Amps 1000V 2.7 Rds
IXGA7N60B IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 14 Amps 600V 2.0 Rds
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться