Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [41]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IXGH20N120 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V 3 V Rds
IXGH20N120A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
IXGH20N160 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A
IXGH240N30PB IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 240 Amps 300V
IXGH24N120C3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V
IXGH24N120C3H1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
IXGH24N120IH IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200V
IXGH24N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
IXGH24N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds
IXGH25N100 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A
IXGH25N100AU1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A
IXGH25N100U1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A
IXGH25N120 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3 Rds
IXGH25N120A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200V
IXGH25N160 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1600V 2.5 Rds
IXGH25N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE
IXGH28N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
IXGH28N60B3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 600V
IXGH28N90B IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 51 Amps 900V 2.5 Rds
IXGH2N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE
IXGH30N120B3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V
IXGH30N60C3C1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
IXGH32N120A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1200V
IXGH32N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться