Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [44]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IXGK72N60A3H1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V
IXGK72N60C3H1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V
IXGK82N120A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs
IXGK82N120B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs
IXGL200N60B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 150Amps 600V
IXGN100N120 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series
IXGN100N160A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1600V
IXGN100N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A
IXGN120N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A
IXGN120N60A3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 120A
IXGN200N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-HIVOLTAGE (MINI
IXGN200N60B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
IXGN320N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 320 Amps 600V
IXGN400N30A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 300V 1.15 V Rds
IXGN400N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 600V
IXGN72N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 600V
IXGN72N60C3H1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
IXGP12N100 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24Amps 1000V
IXGP12N100AU1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24Amps 1000V
IXGP15N100C IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1000V 3.5 Rds
IXGP20N120A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
IXGP20N120B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
IXGP24N120C3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200V
IXGP28N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться