Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [47]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IXGT32N90B2 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds
IXGT32N90B2D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds
IXGT35N120B IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 Rds
IXGT40N120B2D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V 3.5 V Rds
IXGT45N120 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V 3.5 Rds
IXGT50N60C2 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V 2.5 V Rds
IXGT50N90B2 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 900V 2.7 Rds
IXGT50N90B2D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 900V
IXGT60N60C3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V
IXGT64N60B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-MID FREQUENCY
IXGT64N60B3-TRL IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT64N60B3 TRL
IXGT6N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds
IXGT6N170-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT6N170 TRL
IXGT6N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 7 V Rds
IXGT6N170A-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT6N170A TRL
IXGT6N170AHV IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-HI VOLTAGE
IXGT6N170AHV-TRL IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT6N170AHV TRL
IXGT72N60A3-TRL IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT72N60A3 TRL
IXGX100N160A IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V
IXGX100N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
IXGX120N120A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 1200V
IXGX120N120B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15khz-40khz Power Device
IXGX120N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 600V
IXGX120N60B3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120Amps 600V