Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [6]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APT50GN60BG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
APT50GP60B2DQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT50GP60BG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 50A, TO-247, RoHS
APT50GS60BRDLG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT50GS60BRDQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT50GS60BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
APT50GT120B2RDQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT50GT120B2RG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAX, RoHS
APT50GT120LRDQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-264, RoHS
APT50GT60BRDQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT50GT60BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
APT54GA60B Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247
APT54GA60BD30 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
APT60GT60BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 60A, TO-247, RoHS
APT64GA90B2D30 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 T-MAX
APT64GA90LD30 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
APT65GP60B2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 65A, TO-247 T-MAX, RoHS
APT65GP60L2DQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS
APT68GA60B Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247
APT68GA60LD40 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264
APT70GR120B2 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 70A, TO-247 T-MAX
APT70GR120JD60 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 70A, SOT-227
APT70GR120L Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 70A, T0264
APT70GR65B2DU40 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8