Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [74]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
STGW60V60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
STGW75M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
STGW80H65DFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
STGW80H65DFB-4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STGW80H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STGW80H65FB-4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STGW80V60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate V series 600V 80A HiSpd
STGW80V60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
STGW8M120DF3 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
STGWA15H120DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
STGWA15H120F2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
STGWA15M120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
STGWA15S120DF3 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
STGWA19NC60HD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
STGWA20M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
STGWA25H120DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGWA25H120F2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
STGWA25S120DF3 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
STGWA30H60DFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGWA30H65DFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package
STGWA30H65FB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
STGWA30M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STGWA30N120KD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBT