Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [8]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
AUIRGP4063D Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V CO-PACKAUTO TRENCH IGBT
AUIRGP4063D-E Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V Trench IGBT
AUIRGP4066D1 Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V co-pack Auto Trench IGBT
AUIRGP4066D1-E Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V co-pack Auto Trench IGBT
AUIRGP66524D0 Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V COOLiRIGBT
AUIRGPS4070D0 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AUIRGS30B60K Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
AUIRGS30B60KTRL Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
AUIRGS30B60KTRR Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
AUIRGS4062D1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V Ultra IGBT D2PAK
AUIRGS4062D1TRL Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V 24A T in a D2PAK
AUIRGSL30B60K Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
AUIRGSL4062D1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V 24A T in a D2PAK
BSM75GAR120DN2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A GAR CH
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Easy 650V booster power module with IGBT TRENCHSTOP 5, CoolSiC Schottky diode Solder Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material.
DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
DGTD120T40S1PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
DGTD65T15H2TF Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X
DGTD65T40S1PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X
DGTD65T50S1PT Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
DGTD65T60S2PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V NPT Trench
FGA15S125P ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FORECAST FG