МОП-транзистор [117]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Количество каналов
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
Vgs - напряжение затвор-исток
Qg - заряд затвора
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Конфигурация
Канальный режим
Квалификация
Коммерческое обозначение
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
DMN1054UCB4-7 Diodes Incorporated
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC
DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
DMN10H120SE-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
DMN10H120SFG-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated
МОП-транзистор FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
DMN10H170SFDE-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
DMN10H170SFGQ-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V-100V
DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V-100V
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-CH МОП-транзистор 100V 12A
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V 100V
DMN10H170SVT-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
DMN10H170SVTQ-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS
DMN10H170SVTQ-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A
DMN10H220L-13 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
DMN10H220L-7 Diodes Incorporated
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
DMN10H220LQ-13 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 10K
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться