МОП-транзистор [665]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Количество каналов
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
Vgs - напряжение затвор-исток
Qg - заряд затвора
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Конфигурация
Канальный режим
Квалификация
Коммерческое обозначение
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
SSM5N15FU(TE85L,F) Toshiba
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
SSM5N16FU,LF Toshiba МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=0.1A VDSS=20V
SSM5N16FUTE85LF Toshiba МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
SSM5P15FU,LF Toshiba
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-0.1A VDSS=-30V
SSM6G18NU,LF Toshiba МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112O @ 4.5V, in UDFN6 package
SSM6H19NU,LF Toshiba
МОП-транзистор UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
SSM6J206FE,LF Toshiba
МОП-транзистор SS FET P-Ch 0.32Ohm -2A -8V
SSM6J207FE,LF Toshiba
МОП-транзистор Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
SSM6J212FE,LF Toshiba МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-3.6A VDSS=-30V
SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
SSM6J216FE,LF Toshiba МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=--4.8A VDSS=-12V
SSM6J401TU,LF Toshiba МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package
SSM6J402TU,LF Toshiba
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.0A, RDS(ON)=0.225Ohm @ 4V, in UF6 package
SSM6J414TU,LF Toshiba
МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
SSM6J422TU,LF Toshiba МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package
SSM6J424TU,LF Toshiba
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package
SSM6J501NU,LF Toshiba МОП-транзистор PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
SSM6J502NU,LF Toshiba МОП-транзистор SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
SSM6J503NU,LF Toshiba
МОП-транзистор SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
SSM6J505NU,LF Toshiba МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
SSM6J507NU,LF Toshiba
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор V=30V, I-10A
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться