МОП-транзистор [697]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Количество каналов
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
Vgs - напряжение затвор-исток
Qg - заряд затвора
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Конфигурация
Канальный режим
Квалификация
Коммерческое обозначение
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
STH310N10F7-2 STMicroelectronics МОП-транзистор N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
STH310N10F7-6 STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
STH315N10F7-2 STMicroelectronics МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in H2PAK-2 package
STH315N10F7-6 STMicroelectronics МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in H2PAK-6 package
STH320N4F6-6 STMicroelectronics МОП-транзистор N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET
STH3N150-2 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
STH410N4F7-2AG STMicroelectronics
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel Power МОП-транзистор 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package
STH410N4F7-6AG STMicroelectronics
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel Power МОП-транзистор 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-6 package
STH47N60DM6-2AG STMicroelectronics МОП-транзистор Automotive N-channel 600 V, 0.070 typ., 36 A MDmesh DM6 Power МОП-транзистор in an H PAK-2 package
STH52N10LF3-2AG STMicroelectronics МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 100 V, 15 mOhm typ., 52 A STripFET F3 Power МОП-транзистор in an H2PAK-2 package
STH6N95K5-2 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in a H2PAK-2 package
STH80N10F7-2 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in H2PAK-2 package
STH80N10LF7-2AG STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in H2PAK-2 package
STI11NM80 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh
STI13NM60N STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
STI150N10F7 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in I2PAK package
STI18N60M2 STMicroelectronics МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
STI18N65M2 STMicroelectronics МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220 package
STI20N60M2-EP STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power МОП-транзистор in an I2PAK package
STI20N65M5 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
STI21N65M5 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
STI24N60M2 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
STI24N60M6 STMicroelectronics МОП-транзистор N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power МОП-транзистор in an I2PAK package
STI24NM60N STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться