МОП-транзистор [748]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Количество каналов
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
Vgs - напряжение затвор-исток
Qg - заряд затвора
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Конфигурация
Канальный режим
Квалификация
Коммерческое обозначение
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
TK8Q60W,S1VQ Toshiba
МОП-транзистор DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
TK8Q65W,S1Q Toshiba
МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
TK8R2A06PL,S4X Toshiba МОП-транзистор N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
TK8R2E06PL,S1X Toshiba МОП-транзистор X35 Pb-F POWER МОП-транзистор TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba МОП-транзистор N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
TK90S06N1L,LQ Toshiba МОП-транзистор UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba МОП-транзистор N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77
TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba
МОП-транзистор N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
TK9A60D(STA4,Q,M) Toshiba
МОП-транзистор N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
TK9A65W,S5X Toshiba
МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
TK9A90E,S4X Toshiba
МОП-транзистор PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
TK9J90E,S1E Toshiba МОП-транзистор PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
TK9P65W,RQ Toshiba
МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
TN0104N3-G Microchip Technology МОП-транзистор 40V 1.8Ohm
TN0104N3-G P002 Microchip Technology МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
TN0104N3-G P005 Microchip Technology МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
TN0104N3-G-P003 Microchip Technology МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
TN0104N3-G-P014 Microchip Technology МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
TN0104N8-G Microchip Technology МОП-транзистор 40V 2Ohm
TN0106N3-G Microchip Technology МОП-транзистор 60V 3Ohm
TN0106N3-G P002 Microchip Technology МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
TN0106N3-G P005 Microchip Technology МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
TN0106N3-G-P003 Microchip Technology МОП-транзистор N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
TN0106N3-G-P013 Microchip Technology МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться