Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [67]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
MUN5134DW1T1G ON Semiconductor Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5134T1G ON Semiconductor Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5135DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5135T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5136DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS SC88 BR XSTR PNP 50V
MUN5136T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS SC70 BR XSTR PNP 50V
MUN5137DW1T1G ON Semiconductor Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5137T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5138T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP DIGITAL TRANSISTOR
MUN5140T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP DIGITAL TRANSISTOR
MUN5141T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP DIGITAL TRANSISTOR
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN
MUN5211T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN
MUN5212T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
MUN5213DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
MUN5213DW1T3G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
MUN5213T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
MUN5214DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
MUN5214T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
MUN5215DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
MUN5215T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
MUN5216DW1T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN
MUN5216T1G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться