Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [74]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
STGWA40H120F2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGWA40H60DLFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGWA40H65DFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
STGWA40H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
STGWA40HP65FB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TO-247 LONG LEADS
STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGWA40IH65DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 long leads package
STGWA40M120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
STGWA40N120KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A 1200V short circuit rugged IGBT
STGWA40S120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
STGWA50IH65DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGWA50M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
STGWA60H65DFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
STGWA60V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT
STGWA75M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
STGWA80H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STGWA8M120DF3 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
STGWF30NC60S STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
STGWT15H60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
STGWT20H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGWT20H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
STGWT20HP65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
STGWT20IH125DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
STGWT20V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT