Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [18]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
DDTC113TLP-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 250mW 1KOhm
DDTC113TUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC113ZCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC113ZE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 1K 10K
DDTC113ZUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K 10K
DDTC114ECA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC114EE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 150mW
DDTC114ELP-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 250mW Single (R1/R2)
DDTC114EUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC114GCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 10K
DDTC114GE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K
DDTC114GUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 10K
DDTC114TCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC114TE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K
DDTC114TUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC114WCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 10K 4.7K
DDTC114WE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 150mW
DDTC114WUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC114YCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC114YE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 150mW
DDTC114YLP-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 250mW Single (R1/R2)
DDTC114YUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC115ECA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW
DDTC115EE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 100K100K
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться