Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
BCR35PNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR | |||
BCR48PNH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIG TRANSISTORS | |||
BCR503E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA | |||
BCR512E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR | |||
BCR521E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR | |||
BCR523E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR | |||
BCR523UE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR | |||
BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR | |||
BCR553E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR | |||
BCR555E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR | |||
BCR562E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR | |||
DCX100NS-7 | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW R1+/-R2 R3=R4 Dual Complementary | |||
DCX114EH-7 | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K | |||
DCX114EK-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 300MW 10K | |||
DCX114EU-13R-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS Comp Dual Trans 200mW 10kOhm | |||
DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения COMP NPN/PNP 200mW | |||
DCX114TH-7 | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K | |||
DCX114TK-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 300MW 4.7KW | |||
DCX114TU-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 4.7K | |||
DCX114YH-7 | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K 47K | |||
DCX114YK-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 300MW 10K 47K | |||
DCX114YU-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения COMP NPN/PNP 200mW | |||
DCX115EK-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL COMPLEMENTARY | |||
DCX115EU-7-F | Diodes Incorporated | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS Comp Pre-Biased Dual Trans 100kOhm |