|
|
2SC5108-Y,LF |
Toshiba |
|
РЧ биполярные транзисторы Radio-frequency Bipolar Transistor |
|
|
|
2SC5551AF-TD-E |
ON Semiconductor |
|
РЧ биполярные транзисторы RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz |
|
|
|
2SK3074TE12LF |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS |
|
|
|
2SK3075(TE12L,Q) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS |
|
|
|
2SK3078A(TE12L,F) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS |
|
|
|
2SK3079ATE12LQ |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS |
|
|
|
2SK3475TE12LF |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS |
|
|
|
2SK3476(TE12L,Q) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS |
|
|
|
2SK3557-6-TB-E |
ON Semiconductor |
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER |
|
|
|
2SK3756(TE12L,F) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS |
|
|
|
2SK4037(TE12L,Q) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS |
|
|
|
3135GN-100M |
Microchip / Microsemi |
|
РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor |
|
|
|
3135GN-170M |
Microchip / Microsemi |
|
РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor |
|
|
|
375-501N21A-00 |
IXYS |
|
РЧ МОП-транзисторы DE-375 21A 500V N Channel MOSFET |
|
|
|
3SK291(TE85L,F) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V |
|
|
|
3SK292(TE85R,F) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 |
|
|
|
3SK293(TE85L,F) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V |
|
|
|
3SK294(TE85L,F) |
Toshiba |
|
РЧ МОП-транзисторы RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 |
|
|
|
475-102N21A-00 |
IXYS |
|
РЧ МОП-транзисторы DE-475 21A 1000V N Channel MOSFET |
|
|
|
55GN01CA-TB-E |
ON Semiconductor |
|
РЧ биполярные транзисторы SWITCHING DEVICE |
|
|
|
55GN01FA-TL-H |
ON Semiconductor |
|
РЧ биполярные транзисторы BIP NPN 70MA 10V FT=5.5 |
|
|
|
A2G22S160-01SR3 |
NXP / Freescale |
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V |
|
|
|
A2G22S190-01SR3 |
NXP Semiconductors |
|
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
|
|
|
A2G26H280-04SR3 |
NXP / Freescale |
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V |
|
)
)
)
)
)
)
)
)
)
