DRAM [121]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
S27KS0641DPBHA020 Cypress Semiconductor
DRAM Nor
S27KS0641DPBHA023 Cypress Semiconductor
DRAM Nor
S27KS0641DPBHB020 Cypress Semiconductor
DRAM Nor
S27KS0641DPBHB023 Cypress Semiconductor
DRAM Nor
S27KS0641DPBHI023 Cypress Semiconductor
DRAM HyperRAM 1.8-V 64Mb
S27KS0641DPBHV020 Cypress Semiconductor
DRAM HyperRAM 1.8-V 64Mb
S27KS0641DPBHV023 Cypress Semiconductor
DRAM HyperRAM 1.8-V 64Mb
S70KL1281DABHI023 Cypress Semiconductor
DRAM IC 128 Mb FLASH MEMORY
S70KL1281DABHV023 Cypress Semiconductor
DRAM IC 128 Mb FLASH MEMORY
S70KS1281DPBHI020 Cypress Semiconductor
DRAM IC 128 Mb FLASH MEMORY
S70KS1281DPBHV023 Cypress Semiconductor
DRAM IC 64 Mb FLASH MEMORY
W631GG6MB-09 Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 1066MHz
W631GG6MB-09 TR Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 1066MHz T&R
W631GG6MB-11 Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 933MHz
W631GG6MB-11 TR Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 933MHz,T&R
W631GG6MB-12 Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 800MHz
W631GG6MB-12 TR Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 800MHzT&R
W631GG6MB-15 Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 667MHz
W631GG6MB-15 TR Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 667MHz T&R
W631GG6MB09I Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 1066MHz
W631GG6MB09I TR Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 1066MHz T&R
W631GG6MB11I Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 933MHz
W631GG6MB12I TR Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 800MHz T&R
W631GG6MB15I Winbond DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 667MHz
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться