DRAM [139]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
W9864G6JB-6 Winbond DRAM 64M SDR SDRAM x16, 166MHz
W9864G6JB-6I Winbond DRAM 64M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind Temp
W9864G6JB-6I TR Winbond DRAM 64M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind Temp
W9864G6JT-6 Winbond
DRAM 64M SDR SDRAM x16, 166MHz
W9864G6JT-6 TR Winbond
DRAM 64M SDR SDRAM x16, 166MHz
W9864G6JT-6I Winbond
DRAM 64M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind Temp
W9864G6KH-5 Winbond DRAM 64M, SDR SDRAM, x16, 200MHz, 46nm
W9864G6KH-5 TR Winbond DRAM 64M, SDR SDRAM, x16, 200MHz, 46nm T&R
W9864G6KH-6 Winbond DRAM 64M, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
W9864G6KH-6 TR Winbond DRAM 64M, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm T&R
W9864G6KH-6I Winbond DRAM 64M, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm I-temp
W9864G6KH-6I TR Winbond DRAM 64M, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm I-temp T&R
W987D2HBJX6E Winbond DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz
W987D2HBJX6I Winbond DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp
W987D2HBJX6I TR Winbond DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R
W987D2HBJX7E Winbond DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm
W987D6HBGX6E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz
W987D6HBGX6E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz T&R
W987D6HBGX6I Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp
W987D6HBGX6I TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R
W987D6HBGX7E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm
W987D6HBGX7E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R
W988D2FBJX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz
W988D2FBJX6E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz T&R