DRAM [154]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
W987D2HBJX7E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
W987D6HBGX6E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz
W987D6HBGX6E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz T&R
W987D6HBGX6I Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp
W987D6HBGX6I TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R
W987D6HBGX7E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm
W987D6HBGX7E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R
W988D2FBJX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz
W988D2FBJX6E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz T&R
W988D2FBJX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp
W988D2FBJX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R
W988D2FBJX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 133MHz, 65nm
W988D2FBJX7E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
W988D6FBGX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz
W988D6FBGX6E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz T&R
W988D6FBGX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp
W988D6FBGX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R
W988D6FBGX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm
W988D6FBGX7E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R
W989D2DBJX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm
W989D2DBJX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm T&R
W989D6DBGX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm
W989D6DBGX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm