Флеш-память NAND [8]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Вид монтажа
Упаковка / блок
Серия
Размер памяти
Тип интерфейса
Организация
Тип синхронизации
Ширина шины данных
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR Micron Флеш-память NAND TLC 1.5T 192GX8 VBGA QDP
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B Micron Флеш-память NAND
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR Micron Флеш-память NAND MLC 1T 128GX8 VBGA QDP
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 BGA DDP
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 BGA DDP
MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
MT29F1T08EEHBFJ4-M:B Micron Флеш-память NAND
MT29F1T08EEHBFJ4-M:B TR Micron Флеш-память NAND
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR Micron Флеш-память NAND
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 FBGA DDP
MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR Micron Флеш-память NAND
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A Micron Флеш-память NAND TLC 1Tbit 8 132/187 VBGA 4
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 VBGA QDP
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A Micron Флеш-память NAND TLC 1Tbit 8 132/187 VBGA 4
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR Micron Флеш-память NAND TLC 1T 128GX8 VBGA QDP
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B Micron Флеш-память NAND
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR Micron Флеш-память NAND TLC 1.125T 144GX8 VBGA 3DP
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A Micron Флеш-память NAND SLC 256G 32GX8 LBGA 8DP
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR Micron Флеш-память NAND SLC 256G 32GX8 LBGA 8DP
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B Micron Флеш-память NAND