DRAM [158]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
W987D6HBGX6I Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp
W987D6HBGX6I TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R
W987D6HBGX7E Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm
W987D6HBGX7E TR Winbond DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R
W988D2FBJX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz
W988D2FBJX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp
W988D2FBJX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R
W988D2FBJX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x32, 133MHz, 65nm
W988D6FBGX6E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz
W988D6FBGX6E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz T&R
W988D6FBGX6I Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp
W988D6FBGX6I TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R
W988D6FBGX7E Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm
W988D6FBGX7E TR Winbond DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R
W989D2DBJX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm
W989D2DBJX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm T&R
W989D6DBGX6I Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm
W989D6DBGX6I TR Winbond
DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm