Флеш-память NAND [28]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Вид монтажа
Упаковка / блок
Серия
Размер памяти
Тип интерфейса
Организация
Тип синхронизации
Ширина шины данных
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
S34SL02G200BHI003 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S34SL02G200BHV000 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S34SL02G200BHV003 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S34SL04G200BHI000 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S34SL04G200BHI003 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S34SL04G200BHV000 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S34SL04G200BHV003 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99ML01G10042 Cypress Semiconductor Флеш-память NAND Nand
S99ML01G10044 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99ML01G20020 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99ML02G10042 Cypress Semiconductor Флеш-память NAND Nand
S99ML04G10019 Cypress Semiconductor Флеш-память NAND Nand
S99ML04G10041 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99ML04G10044 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99ML08G10040 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99ML08G10041 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99ML08G10042 SkyHigh Memory Флеш-память NAND Nand
S99MS02G10019 Cypress Semiconductor Флеш-память NAND Nand
S99MS02G10029 Cypress Semiconductor Флеш-память NAND Nand
S99MS02G20029 Cypress Semiconductor Флеш-память NAND Nand
S99MS04G20029 Cypress Semiconductor Флеш-память NAND Nand
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory
Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Memory
Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory Флеш-память NAND 3.3V 1Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)