Поставка электронных компонентов
Производитель
Серия
Тип транзистора
Технология
Полярность транзистора
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
Непрерывный коллекторный ток
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Конфигурация
Вид монтажа
Упаковка / блок
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
1214-30 Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы L-Band/Bipolar Radar Transistor
2307 Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы
2729-125 Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor
2729-170 Microchip / Microsemi
РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor
2729GN-150 Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor
2729GN-270 Microchip / Microsemi
РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
2731-100M Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Transistor
2731-20 Microchip / Microsemi
РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
2731GN-110M Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
2731GN-200M Microchip / Microsemi
РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
2735GN-100M Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
2735GN-35M Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
2N2857/TR Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы
2N5643 Advanced Semiconductor, Inc. РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
2N6439 Advanced Semiconductor, Inc. РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba
РЧ биполярные транзисторы RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
2SC5066-O,LF Toshiba
РЧ биполярные транзисторы Radio-Frequency Bipolar Transistor
2SC5086-O,LF Toshiba РЧ биполярные транзисторы Radio-Frequency Bipolar Transistor
2SC5086-Y,LF Toshiba РЧ биполярные транзисторы Radio-Frequency Bipolar Transistor
2SC5087-O(TE85L,F) Toshiba
РЧ биполярные транзисторы RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz
2SC5551AF-TD-E ON Semiconductor
РЧ биполярные транзисторы RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
3135GN-100M Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
3135GN-170M Microchip / Microsemi РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor
ASMA101 Advanced Semiconductor, Inc. РЧ биполярные транзисторы 50 Ohm