Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [102]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RN1311(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10Kohms
RN1311,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm
RN1312(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22Kohms
RN1313(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 47Kohms
RN1313,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT 0.1A 50V
RN1314(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 1.0K x 10Kohms
RN1314,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT 0.1A 50V 1KOhm / 10KOhm
RN1315(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms
RN1315,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm
RN1316(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms
RN1316,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms
RN1317(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms
RN1318(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 47K x 10Kohms
RN1401,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
RN1401T5LFT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
RN1402,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm
RN1402S,LF(D) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.1A 10 kOhm 100mA
RN1403,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm
RN1404,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
RN1404S,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k
RN1404T5LFT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
RN1405,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm
RN1405S,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k
RN1405T5LFT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться